.تعمیـــرکاران کیان ست (kiansat.kim)تابع قوانین -جمهموری-اسلامی ایران میباشد و ارسال هر گونه مطلب سیاسی،مذهبی،غیراخلاقی و خرید و فروش متعلقات ماه-واره و دیگر موارد مجرمانه ممنوع میباشد وبا کاربران خاطی به شدت برخورد میگردد انجمن فقط تعمیرات لوازم الکترونیک میباشد...













سلام مهمان گرامی؛
به کیان ست خوش آمدید برای مشاهده انجمن با امکانات کامل می بايست از طريق این لینک عضو شوید.

http://teranzit.pw/uploads/14469017281.png
پیام خصوصی به مدیریت کل سایت ........... صفحه توضیحات و شرایط گروه ویژه ........... ...........
ارتباط تلگرامی با مدیریت سایت ................. ایدی تلگرام suportripair@ .................
نمایش نتایج: از شماره 1 تا 1 , از مجموع 1

موضوع: ترازیستورها سه بعدی می‌شوند

  1. #1


    تاریخ عضویت
    Apr 2010
    محل سکونت
    کیان ست
    علایق
    الکترونیک
    نوشته ها
    7,068
    تشکر ها
    34,684
    38,723 سپاس از5,593 پست

    ترازیستورها سه بعدی می‌شوند

    بزرگترین شرکت تولیدکننده پردازشگرهای رایانه ای فناوری جدیدی را ارائه کرده است که تولید نیمه رساناهای با یک ساختار سه بعدی را امکانپذیر می کند.
    به گزارش خبرگزاری مهر، شرکت اینتل با ارائه این فناوری در تلاش است یک ساختار جدید سه بعدی را برای نیمه رساناها ایجاد کند. هدف از این کار افزایش عملکردها و صرفه جویی در مصرف انرژی است.
    به این ترتیب فناوریهای جدید اینتل به اولین ترانزیستورهای سه بعدی در دنیا تبدیل خواهند شد. در این ترانزیستورهای سه بعدی که "تری گیت" نام دارند یک تغییر ریشه ای نسبت به ساختارهای مسطح دو بعدی به وجود می آید.
    اولین نسل از ترانزیستورهای سه بعدی که با کد Ivy Bridge عرضه می شوند ویژه تراشه های 22 نانومتری آماده ورود به خط تولید انبوه هستند.
    براساس گزارش eWeek، ترانزیستور یک عنصر میکروسکوپی و پایه دستگاههای الکترونیکی مصرفی است. اختراع ترانزیستور سیلیکونی بیش از 50 سال قبل اتفاق افتاد و پروژه ترانزیستور سه بعدی نخستین بار در سال 2002 توسط اینتل اعلام شد.
    این شرکت اظهار داشت: "محققان و مهندسان ما بار دیگر و این بار با استفاده از ساختار سه بعدی ترانزیستورها را اختراع کردند. این فناوری جدید پتانسیل بالایی در ساخت دستگاههای الکترونیکی دارد که می توانند دنیا را تغییر دهد. با این فناوری جدید، تراشه ها با فشار کمتر و تفرق الکتریکی حداقلی کار می کنند. در نتیجه عملکردهای ترانزیستور بهبود یافته و بازده به حداکثر می رسد. این پتانسیل به طراحان اجازه می دهد که با انعطاف پذیری بیشتری ترانزیستورهای کم مصرف را انتخاب کنند."

  2. 10کاربر از M.Salehi بخاطر ارسال این پست مفید سپاسگزاری کرده اند:

    Ahmad20 (5th August 2012),ASHKAN-NO (5th August 2012),FARASSO (1st September 2012),karim1350  (9th January 2018),m2007_mail (30th August 2012),metalmaiden (5th August 2012),pal-electronic (5th August 2012),setareh1 (16th June 2014),Tezar (5th August 2012),علیزاده علی (5th August 2012)

اطلاعات موضوع

کاربرانی که در حال مشاهده این موضوع هستند

در حال حاضر 1 کاربر در حال مشاهده این موضوع است. (0 کاربران و 1 مهمان ها)

کلمات کلیدی این موضوع

مجوز های ارسال و ویرایش

  • شما نمیتوانید موضوع جدیدی ارسال کنید
  • شما امکان ارسال پاسخ را ندارید
  • شما نمیتوانید فایل پیوست کنید.
  • شما نمیتوانید پست های خود را ویرایش کنید
  •  


Copyright ©2000 - 2013, Jelsoft Enterprises Ltd کیــــــــــان ستـــــــــــ ...® اولین و بزرگترین سایت فوق تخصصی الکترونیک در ایران



Cultural Forum | Study at Malaysian University