.تعمیـــرکاران کیان ست (kiansat.kim)تابع قوانین -جمهموری-اسلامی ایران میباشد و ارسال هر گونه مطلب سیاسی،مذهبی،غیراخلاقی و خرید و فروش متعلقات ماه-واره و دیگر موارد مجرمانه ممنوع میباشد وبا کاربران خاطی به شدت برخورد میگردد انجمن فقط تعمیرات لوازم الکترونیک میباشد...













سلام مهمان گرامی؛
به کیان ست خوش آمدید برای مشاهده انجمن با امکانات کامل می بايست از طريق این لینک عضو شوید.

http://teranzit.pw/uploads/14469017281.png
پیام خصوصی به مدیریت کل سایت ........... صفحه توضیحات و شرایط گروه ویژه ........... ...........
ارتباط تلگرامی با مدیریت سایت ................. ایدی تلگرام suportripair@ .................
نمایش نتایج: از شماره 1 تا 1 , از مجموع 1

موضوع: نانوپل مغناطيسي، پيونددهنده دنياي الكترونيك و مغناطيس

  1. #1


    تاریخ عضویت
    Aug 2009
    محل سکونت
    کیانست
    علایق
    موسیقی- الکترونیک
    شغل و حرفه
    استدیو سل آکورد
    نوشته ها
    623
    تشکر ها
    13,965
    4,381 سپاس از586 پست

    نانوپل مغناطيسي، پيونددهنده دنياي الكترونيك و مغناطيس


    17 آبان 1385- محققان مؤسسه MESA+ هلند موفق به وارد کردن لايه نازکي از گادولينيوم به درون ترانزيستورهاي سيليکوني شدند. يک لايه گادولينيوم با ضخامت کمتر از يک نانومتر قادر است دنياي مغناطيس را به الکترونيک پيوند دهند، به طوري که وارد کردن مستقيم يک عنصر حافظه مغناطيسي به درون يک ترانزيستور سيليکوني ( بلوک‌هاي اوليه ساختماني فناوري اطلاعات) امکان‌پذير خواهد شد.
    حافظه که با توان پردازش ،رابطه تنگاتنگي دارد، موضوعي جذاب و مرتبط با صرفه‌جويي انرژي است. فناوري حافظه‌هاي مغناطيسي مانند حافظه‌هاي سخت (هارديسک) از فناوري مدارات الکترونيکي مجزاست. ترکيب و ادغام اين دو فناوري بسيار جالب توجه است، زيرا يک حافظه مغناطيسي براي حفظ محتويات خود به انرژي مازادي نياز ندارد؛ زيرا اطلاعات يک بار وارد بخشي از حافظه شده و درون آن حفظ مي‌شوند. يک لايه مغناطيسي موجود در درون يک ترانزيستور منجر به ايجاد محصولي جديد و توانمند مي‌گردد که ترکيبي از حافظه و قدرت پردازش را با هم ارائه مي‌کند. اين مسئله براي کاهش مصرف انرژي در دستگاه‌هايي مانند تلفن همراه اهميت حياتي دارد.
    هر چند ترکيب مواد مغناطيسي و سيليکون تاکنون امکان‌پذير نبوده است ولي کار براي انواعي از نيمه‌هادي‌ها مانند آرسنيد گاليوم انجام شده است. Ron Jan Sen يكي ازاين محققان مي‌گويد: "اکنون ما ثابت کرديم چرا اين کار انجام‌پذير نبوده است. اگر يک لايه از مواد مغناطيسي را مستقيماً روي سيليکون قرار دهيد، يک سد روي آن تشکيل خواهد شد که مقاومت آن صد ميليون بار بيشتر خواهد بود و اطلاعات مغناطيسي تحت هيچ شرايطي قادر به عبور از اين سد و قرار گرفتن درون سيليکون نخواهند بود. با در نظر گرفتن اين مسئله، دانشمندان سعي در کاهش مقاومت اين سد داشتند، در نتيجه از گادولينيوم که تابع کار پاييني دارد، و يک الکترون به راحتي مي‌تواند از ميان آن عبور کرده و به درون سيليکون وارد شود استفاده کردند.
    لايه نازک گادولينيوم با فرايند تبخير تهيه شده و ايجاد ضخامت‌هاي مختلف آن با دقت بالا امکان‌پذير است. مقاومت مي‌تواند در محدوده بسيار وسيعي تا صد ميليون تغيير کند. مرحله بعد، اعمال ماده مغناطيسي است.
    نتايج کار اين محققان در مقاله‌اي تحت عنوان:
    Silicon using low- work function ferromagnetic
    در شماره اکتبر 2006 نشريه Nature materials به چاپ رسيده است.
    Tunable spin-tunnelcontacts to












    به جهان خرم ازآنم، که جهان خرم ازاوست
    عاشقم بر همه عالم، که همه عالم ازاوست


  2. 2کاربر از SURENA بخاطر ارسال این پست مفید سپاسگزاری کرده اند:

    Meisam-Alishahi (16th January 2011),pal-electronic (16th January 2011)

اطلاعات موضوع

کاربرانی که در حال مشاهده این موضوع هستند

در حال حاضر 1 کاربر در حال مشاهده این موضوع است. (0 کاربران و 1 مهمان ها)

کلمات کلیدی این موضوع

مجوز های ارسال و ویرایش

  • شما نمیتوانید موضوع جدیدی ارسال کنید
  • شما امکان ارسال پاسخ را ندارید
  • شما نمیتوانید فایل پیوست کنید.
  • شما نمیتوانید پست های خود را ویرایش کنید
  •  


Copyright ©2000 - 2013, Jelsoft Enterprises Ltd کیــــــــــان ستـــــــــــ ...® اولین و بزرگترین سایت فوق تخصصی الکترونیک در ایران



Cultural Forum | Study at Malaysian University